Модуль IGBT 10-LY12PMA035SC — это силовой полупроводниковый модуль на базе биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). Такие модули используются в силовой электронике для коммутации больших токов, превышающих допустимое значение для одного транзистора.
Характеристики изделия:
• Номинальное напряжение силового канала: 1200 В.
• Максимальный ток коллектора: производители обычно приводят два значения — одно при стандартной температуре +25°С, второе при +80°С.
• Напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»: 2,1 В (при Тvj = +150 °C, Iк = 100–200 А).
• Энергия потерь включения/выключения: 21,3/20 мДж (при Тvj = +150 °C, Iк = 200 А).
• Диапазон температур окружающей среды: –40…+65 °С, влажность — 5–85%.
• Виброустойчивость: до 12g, ударопрочность — до 10g, класс защиты — IP00.
• Тепловое сопротивление «кристалл IGBT–корпус»: 0,15 К/Вт.
Сверьте полную маркировку, исполнение и разъёмы. Пришлите фото платы или шильдика; совместимость проверим перед заказом.