Модуль IGBT FS100R12KE3 Otis — биполярный транзистор с изолированным затвором, используемый в различных приборах высокого напряжения и тока, где необходимы эффективная коммутация и высокая производительность:
• в силовых импульсных преобразователях и инверторах (мощностью более 1 кВт)
• в системах индукционного нагрева
• в системах управления двигателями (частотно-регулируемые привода)
Технические характеристики:
• максимальное напряжение затвор-эмиттер — ± 20 В
• общая рассеиваемая мощность — 480 Вт
• напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. — 1200 В
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 2.15 В
• непрерывный коллекторный ток при 25 C — 140 A
• повторяющийся пиковый ток коллектора — 200 А
Диапазон рабочих температур — от -40 до +125 °C.