Условная иллюстрация «Платы, процессоры и блоки управления», не фото товара — **Иллюстрация подкатегории · Платы, процессоры и блоки управления**Условное изображение. Фото этой детали пришлём по запросу.

Модуль IGBT 150 А, 1200 В FF150R12KS4

Артикул: 11874

Цена по запросу

Цену и срок поставки менеджер назовёт после запроса. Количество, шт.

Стоимость уточнит менеджер. Оформление без регистрации: заказ уходит менеджеру письмом, счёт — на организацию или ИП. Оплата на сайте не подключена. Открыть корзину

Не уверены, что подойдёт? Пришлите фото старой детали Доставка и оплата

Описание

Производитель: Infineon

RoHS: ДА

Продукт: Кремниевые модули IGBT

Конфигурация: Двойной

Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.2 V

Постоянный ток коллектора при 25 C: 225

Ток утечки затвор-эмиттер: 400 нА

Pd - Рассеиваемая мощность: 1.25 кВт

Пакет / Дело: 62 мм

Максимальная рабочая температура: + 125 С

Бренд: Infineon Technologies

Высота: 30.5 мм

Длина: 106.4 мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 В

Минимальная рабочая температура: - 40 С

Вид монтажа: Винт

Количество в упаковке: 10

Ширина: 61.4 мм

Модули IGBT 1200V 150A DUAL

Для точного подбора

Сверьте полную маркировку, исполнение и разъёмы. Пришлите фото платы или шильдика; совместимость проверим перед заказом.

Модуль IGBT 150 А, 1200 В FF150R12KS4

Описание

Для точного подбора

Похожие позиции