Условная иллюстрация «Платы, процессоры и блоки управления», не фото товара — **Иллюстрация подкатегории · Платы, процессоры и блоки управления**Условное изображение. Фото этой детали пришлём по запросу.

OtisSemikronПлаты, процессоры и блоки управления

Модуль IGBT 200 А, 1200 В SEMIX202GB12E4s для частотного преобразователя OVF20CR

Артикул: 11879

Цена по запросу

Цену и срок поставки менеджер назовёт после запроса. Количество, шт.

Стоимость уточнит менеджер. Счёт выставим на организацию или ИП, наличие и срок подтвердит менеджер. Войдите в кабинет — заказ сохранится в истории со статусами. Открыть корзину

Не уверены, что подойдёт? Пришлите фото старой детали Доставка и оплата

Описание

Модуль IGBT SEMIX202GB12E4s, биполярный транзистор с изолированным затвором, для частотного преобразователя OVF20CR от Otis.

Технические характеристики:
• количество ключей в модуле — 2;
• напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В;
• непрерывный рабочий ток при 25 ºC — 200 A;
• технология — IGBT 4 (Trench).

Производитель — Otis.

Характеристики

Технические параметры

Высота: 17 мм
Ширина: 64 мм
Длина: 117 мм

Производитель и марка

Марка: Otis, Semikron

Дополнительные сведения

Другие названия: Модуль IGBT 200 А, 1200 В SEMIX202GB12E4s для ПЧ OVF20CR
Вес: 0,5 кг