Модуль IGBT 7MBR50VB120A-50 Fuji Electric – это силовой модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в компактном корпусе, относящийся к серии V (6-е поколение). Он объединяет в себе несколько ключевых компонентов: транзисторы IGBT, диодный мост преобразователя и динамическую тормозную цепь. Такая интеграция позволяет эффективно управлять мощностью в промышленных системах.
Характеристики изделия:
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В.
• Ток коллектора (IC): 50 А (при температуре 25 °C).
• Импульсный ток (ICP): 100 А.
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): примерно 2,1 В (типовое значение).
• Время включения (ton): менее 100 нс.
• Время выключения (toff): менее 500 нс.
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): примерно 0,25 °C/Вт.
• Максимальная температура перехода (Tj): 175 °C.
• Температура хранения: от –40 °C до +125 °C.
• Технология чипа: V-IGBT (Trench).