Модуль IGBT SEMiX полумост (Half-Bridge) модель SEMiX302GB126HDs Semikron – это силовой модуль в конфигурации полумоста (Half-Bridge), предназначенный для управления мощными нагрузками. Он сочетает в себе два IGBT-транзистора, что позволяет эффективно работать с высокими токами.
Модуль применяется в различных промышленных и специализированных системах, где требуется высокомощное и эффективное управление электропитанием.
Характеристики изделия:
• Тип транзистора: Dual Trench IGBT (IGBT третьего поколения с траншейной структурой)
• Схема: GB (полумост)
• Количество ключей: 2
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 1,2 В
• Номинальное напряжение (Vrrm): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (Ic, av): 300 А
• Максимальный импульсный ток коллектора (Icm Pulsed): 400 А
• Максимальный ток фиксации (Ifs Max): 1300 А
• Максимальное напряжение насыщения: 2,15 В
• Время нарастания тока: 100 нс
• Технология кристалла: IGBT 3 (Trench)
• Максимальная температура корпуса (TC): 125 °C.