← Назад в раздел
Условная иллюстрация «Платы, процессоры и блоки управления», не фото товара
Иллюстрация подкатегории · Платы, процессоры и блоки управленияУсловное изображение. Фото этой детали пришлём по запросу.

Модуль IGBT транзистор 75 А, 1200 В 7MBP75VDA120-50

Артикул
11927
Цена по запросу
Цену и срок поставки менеджер назовёт после запроса.
Стоимость уточнит менеджер. Оформление без регистрации: заказ уходит менеджеру письмом, счёт — на организацию или ИП. Оплата на сайте не подключена. Открыть корзину

Описание

Трехфазный силовой модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) 7MBP75VDA120-50 от бренда Fuji Electric применяется в станции управления лифта в частотном преобразователе Fuji. Отличается компактными размерами и низким напряжением насыщения VCE(sat).

Технические характеристики:
• полярность транзистора — N-канал;
• max. непрерывный ток коллектора —75 А;
• напряжение затвор-эмиттера — 20 В;
• max. рассеиваемая мощность коллектора — 305 Вт;
• max. напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В.
• способ монтажа — резьбовым креплением;
• cкорость переключения — 20 кГц;
• количество выходов — 25.

Устройство сохраняет работоспособность и характеристики при максимальной температуре 110 °C.

Для точного подбора

Сверьте полную маркировку, исполнение и разъёмы. Пришлите фото платы или шильдика; совместимость проверим перед заказом.

Характеристики

Технические параметры

Высота
14 мм
Ширина
84 мм
Длина
128,5 мм

Производитель и марка

Марка
Fuji Electric

Дополнительные сведения

Вес
0,3 кг