Условная иллюстрация «Платы, процессоры и блоки управления», не фото товара — **Иллюстрация подкатегории · Платы, процессоры и блоки управления**Условное изображение. Фото этой детали пришлём по запросу.

Fuji ElectricПлаты, процессоры и блоки управления

Модуль IGBT транзистор 7MBR75U4R120

Артикул: 11928

Цена по запросу

Цену и срок поставки менеджер назовёт после запроса. Количество, шт.

Стоимость уточнит менеджер. Оформление без регистрации: заказ уходит менеджеру письмом, счёт — на организацию или ИП. Оплата на сайте не подключена. Открыть корзину

Не уверены, что подойдёт? Пришлите фото старой детали Доставка и оплата

Описание

Силовой модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) 7MBR75U4R120 от бренда Fuji Electric применяется в станции управления лифта в частотном преобразователе Fuji.

Технические характеристики:
• полярность транзистора — N-канал;
• ток коллектора — 75 А при t=25℃ и 80 А при t=80℃;
• напряжение затвор-исток — 20 В;
• рассеиваемая мощность — 275 Вт;
• напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В.

Устройство сохраняет работоспособность и характеристики при эксплуатации при температуре до +125 °C.

Для точного подбора

Сверьте полную маркировку, исполнение и разъёмы. Пришлите фото платы или шильдика; совместимость проверим перед заказом.

Модуль IGBT транзистор 7MBR75U4R120

Описание

Для точного подбора

Характеристики

Производитель и марка

Дополнительные сведения

Похожие позиции